O sistema de epitaxia por feixe molecular (MBE, molecular beam epitaxy) do Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS) é dedicado ao crescimento de compostos III-V (família do GaAs) destinados à pesquisa básica e aplicada. A maioria das amostras consiste em estruturas de poços e pontos quânticos tanto para medidas de transporte num gás de elétrons de alta mobilidade (eletrônica e spintrônica) quanto para o desenvolvimento de fotodetectores infravermelhos de poços (QWIPs, quantum-well infrared photodetectors) e pontos (QDIPs, quantum-dot infrared photodetectors) quânticos.
The molecular beam epitaxy (MBE) system of the New Semiconductor Materials Laboratory (LNMS, Laboratório de Novos Materiais Semicondutores) is dedicated to the growth of III-V compounds (GaAs family) for basic and applied reasearch. Most samples consist of quantum-well or quantum-dot structures that are used either for transport measurements of a high-mobility electron gas (for electronics and spintronics) or for the design of quantum-well infrared photodetectors (QWIPs) and quantum-dot infrared photodetectors (QDIPs).
